Resistance thermometers based on the germanium films
The latest achievements in the field of development of resistance thermometers based on the germanium films on gallium arsenide are presented and summarized. Basic models of Ge film thermometers, which cover the temperature range from 0.02 to 500 K, are considered. Characteristics of the thermometer...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117931 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Resistance thermometers based on the germanium films / Mitin V.F. // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 115-123. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |