Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
Hall effect, resistivity and p-n-junction characteristics were investigated on high pure and perfect p-type Hg₁₋xCdxTe crystals (x ~ 0.2) versus temperature, doping, and a way of heat treatment. It was shown, that activation energy of extrinsic acceptors does not depend on conditions of the crystal...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117935 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals / V.V. Bogoboyashchiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 62-69. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |