Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
The possibility of forming polycrystalline silicon films by pulse thermal annealing has been investigated using measurement of a photo-e.m.f., dark and light voltage-current characteristics. Investigated samples were resistors of rectangular form with the dimensions 400x40 µm² and had contact areas...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117936 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films / V.M. Mamikonova, F.D. Kasimov, G.P. Kemerchev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 70-75. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |