Electrical activity of misfit dislocations in GaAs-based heterostructures
Electrical properties of lattice-mismatch induced defects in GaAs/InGaAs and GaAs/GaAsSb heterostructures have been studied by means of electron-beam induced current (EBIC) in a scanning electron microscope and deep-level transient spectroscopy (DLTS). DLTS measurements, carried out with p-n junctio...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117944 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrical activity of misfit dislocations in GaAs-based heterostructures / T. Wosinski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 58-61. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |