Electrical activity of misfit dislocations in GaAs-based heterostructures
Electrical properties of lattice-mismatch induced defects in GaAs/InGaAs and GaAs/GaAsSb heterostructures have been studied by means of electron-beam induced current (EBIC) in a scanning electron microscope and deep-level transient spectroscopy (DLTS). DLTS measurements, carried out with p-n junctio...
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автор: | Wosinski, T. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117944 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Electrical activity of misfit dislocations in GaAs-based heterostructures / T. Wosinski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 58-61. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Misfit dislocation superlattices in IV-VI multilayered compounds as zero-dimensional quantum boxes
за авторством: Sipatov, A.Yu.
Опубліковано: (1999) -
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999) -
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017) -
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002) -
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)