Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique
Volume-gradient photovoltage and birefrigence caused by a difference of main mechanical stress components have been studied in the Ge-monocrystal with step-like distribution of the doping impurity concentration, N. The qualitative agreement between the function obtained by integration of the spatial...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117956 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique / B.K. Serdega, Ye.F. Venger, Ye.V. Nikitenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 153-156. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |