Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
Thermalization process in photosensitive amorphous molecular semiconductors are theoretically considered from the standpoint of their parameters, namely: thermalization time, thermalization length. The heat electron formed in consequence of absorption of the light quantum by semiconductor molecules...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117974 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors / M.A. Zabolotny // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 102-104. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |