Dielectric response of disordered ferroelectrics with embedded charged clusters
The model of static charged clusters, which adequately describes the dielectric hysteresis and permittivity of disordered ferroelectrics with non-isovalent impurities, has been proposed. The main result of paper is modified Landau-Ginzburg-Devonshire equation can be applied to the bulk ferroelectric...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118003 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Dielectric response of disordered ferroelectrics with embedded charged clusters / A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, V.V. Obukhovsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 238-248. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |