Change of carrier spectrum in layer semiconductors caused by strong electromagnetic wave field
Spectrum of carriers in layer semiconductors under action of strong electromagnetic field is analyzed. It is shown that obtained modification of the spectrum qualitatively differs from modification in analogous problem in excitonic dielectric or superconductor with the parabolic dispersion law of ca...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118007 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Change of carrier spectrum in layer semiconductors caused by strong electromagnetic wave field / B.A. Lukiyanets // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 156-159. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |