Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2003
• Автори: Dzhagan, V.N., Krasil'nik, Z.F., Lytvyn, P.M., Novikov, A.V., Valakh, M.Ya., Yukhymchuk, V.O.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118010
• Цитувати: Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs / V.N. Dzhagan, Z.F. Krasil'nik, P.M. Lytvyn, A.V. Novikov, M.Ya. Valakh, V.O. Yukhymchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Single- and multilayer structures with Si₁₋xGex nanoislands have been investigated using the Raman scattering technique. The values of the mechanical strain and composition were determined in the islands of the both structures. For multilayer structure a low-frequency Raman spectrum was obtained due...