Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
We studied I-V curves of Au-TiBx-n-n⁺-GaAs and Au-TiBx-n-SiC 6Н surface-barrier structures. The structures were exposed to microwave treatments (frequency of 2.45 GHZ, irradiance of 1.5 W/cm², duration of 0-500 s). For these structures we measured how the Schottky barrier height and ideality factor...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118018 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures / S.K. Abdizhaliev, K.A. Ismailov, A.B. Kamalov, Ya.Ya. Kudrik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 202-204. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |