Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding
The theoretical consideration of the energy of the lowest singlet and triplet terms of shallow D¯-centers (two electrons, bound with one-charge Coulomb center) in semiconductors with an ionic and covalent binding has been carried out. The electron-phonon interaction is described by a Frцhlich Hamilt...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118028 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding / N.I. Kashirina, V.D. Lakhno, V.V. Sychyov, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 269-273. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |