Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures
A spatial distribution of the cation vacancy related defects and their influence on the formation processes of self-assembled nanoislands in CdSe/ZnSe heterostructures were investigated by photoluminescence methods. Self-assembling growth was achieved under low temperature (2300C) molecular beam epi...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118032 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures / L.V. Borkovska, N.O. Korsunska, V.I. Kushnirenko, Yu.G. Sadofyev, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 294-298. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |