Unipolar injection currents in Bi₄Ge₃O₁₂ crystals
Current-voltage characteristics of bismuth orthogermanate (Bi₄Ge₃O₁₂) single crystals have been measured at different temperatures under conditions of unipolar injection of charge carriers. It has been found that conduction is characterized by the existence of two channels of the percolation. The te...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118075 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Unipolar injection currents in Bi₄Ge₃O₁₂ crystals / T.M. Bochkova, S.N. Plyaka, G.Ch. Sokolyanskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 461-464. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |