Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures

• Дата: 2004
• Автори: Sachenko, A.V., Gorban, A.P., Korbutyak, D.V., Kostylyov, V.P., Kryuchenko, Yu.V., Chernenko, V.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118104
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures / A.V. Sachenko, A.P. Gorban, D.V. Korbutyak, V.P. Kostylyov, Yu.V. Kryuchenko, V.V. Chernenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 1-7. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

A theoretical analysis of the band-edge electroluminescence efficiency in silicon diodes and p-i-n-structures has been made. We have shown that maximal possible efficiency can achieve 10 % both at room and liquid nitrogen temperatures. Maximal values of the efficiency are restricted by the interband...