Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures

A theoretical analysis of the band-edge electroluminescence efficiency in silicon diodes and p-i-n-structures has been made. We have shown that maximal possible efficiency can achieve 10 % both at room and liquid nitrogen temperatures. Maximal values of the efficiency are restricted by the interband...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Sachenko, A.V., Gorban, A.P., Korbutyak, D.V., Kostylyov, V.P., Kryuchenko, Yu.V., Chernenko, V.V.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118104
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures / A.V. Sachenko, A.P. Gorban, D.V. Korbutyak, V.P. Kostylyov, Yu.V. Kryuchenko, V.V. Chernenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 1-7. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

Excitons and trions in spherical semiconductor quantum dots
за авторством: Kupchak, I.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Excitonic emission of hybrid nanosystem "spherical semiconductor quantum dot + spherical metal nanoparticle"
за авторством: Yu. V. Kryuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Light emission by point dipole located inside spherical (semiconductor) particle in the vicinity of a spherical metal particle
за авторством: Kryuchenko, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nanofilm of layered semiconductor
за авторством: Derevyanchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

A fresh approach to interpretation of visible photoluminescence spectra in silicon nanostructures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Dynamics of the edge transport barrier at plasma biasing on the CASTOR tokamak
за авторством: Stockel, J., та інші
Опубліковано: (2006)

Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)

Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)

Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)

Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)

Geometric edge barrier in the Shubnikov phase of type II superconductors
за авторством: Brandt, E.H.
Опубліковано: (2001)

Spatial characterization of the edge barrier in wide superconducting thin films
за авторством: A. G. Sivakov, та інші
Опубліковано: (2018)

Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2022)

Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Exciton-polaritons in 2D macroporous silicon structures with nano-coatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2020)

Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nano-film of layered semiconductor
за авторством: A. V. Derevyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of the temperature dependences of silicon solar cells illuminated with light simulator
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Fluctuations of current, electroluminescence and acoustic emission in light-emitting А³В⁵ heterostructures
за авторством: Vlasenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2008)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals
за авторством: Machulin, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)