Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅

Ge₃₃As₁₂Se₅₅-Si(n) heterostructures with modified by bismuth atoms transition layer were obtained by the discrete thermal evaporation method. Described are formation and investigation methods for these heterostructures. The mechanism of charge transmission in this heterostructures was ascertained. I...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Kondrat, O., Popovich, N., Dovgoshej, N.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118107
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅ / O. Kondrat, N. Popovich, N. Dovgoshej // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine