Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence
We have carried out a systematic study of mercury cadmium telluride crystals subjected to the high-frequency and high-intensity ultrasonic influence. The charge carrier transport parameters were determined from the Hall coefficient and conductivity measurements. Temperature dependences of the ele...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118124 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence / R.K. Savkina, A.B. Smirnov, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |