Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System
By comparing the results of calculations concerning the dependence of the parameters of a layer on the growth conditions with and without regard for mechanical strains in the growing system, we have analyzed the influence of the elastic energy of the strained solid phase on the phase formation in...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118126 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System / P.P. Moskvin, L.V. Rashkovetsky, V.V. Khodakovsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 70-74. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!