Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers
We have estimated the frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the space-charge region on the surface generation of carriers in two extreme cases of unalloyed and evenly alloyed semiconductors. The expressions allowing the comparison of photodiodes...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118132 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers / A.I. Danilyuk, Yu.G. Dobrovolskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 91-94. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |