Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers

Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers

We have estimated the frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the space-charge region on the surface generation of carriers in two extreme cases of unalloyed and evenly alloyed semiconductors. The expressions allowing the comparison of photodiodes...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Danilyuk, A.I., Dobrovolskiy, Yu.G.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118132
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers / A.I. Danilyuk, Yu.G. Dobrovolskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 91-94. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)

Magnetoresistance based determination of basic parameters of minority charge carriers in solid matter
за авторством: Uhryn, Y.O., та інші
Опубліковано: (2017)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Photogeneration of charge carriers in thin films of PEPC–S60 nanocomposites
за авторством: M. A. Zabolotnyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Accumulation of spin-polarized states of charge carriers and a spintronic battery
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Thermoelectric heating and cooling in semiconductor structures: nonequilibrium charge carriers. (Review)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2014)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)

Charge carrier self-organization in ferroelectromagnetic semiconductors Eu₀.₈Ce₀.₂Mn₂O₅
за авторством: Golovenchits, E.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Quantum nature of non-Fermi charge carriers for pseudogap state of high-Tc superconductors
за авторством: Sergeeva, G.G.
Опубліковано: (2007)

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nikiruj, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nykyrui, та інші
Опубліковано: (2018)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Temperature Evolution of Charge Carrier Density in the Centre of the Brillouin Zone of Fe(Se,Te) Superconductor
за авторством: Pustovit, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2018)

The temperature anomalies of the YBa₂Cu₃O₆.₉ charge carriers density from 290 K to TC
за авторством: Frolov, V.A.
Опубліковано: (2016)

Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
за авторством: Bercha, S.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Nature of extrinsic and intrinsic self-trapping of charge carriers in underdoped cuprate high-Tc superconductors
за авторством: Ganiev, O.K.
Опубліковано: (2016)

The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)