Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл
Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоя...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118160 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |