Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл
Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоя...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118160 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного
ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией
расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном
диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf
е(x) – nf
h = 0. При условии nf
е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf
h, в частности, температурных. Для
оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции
локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о
флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние. |
|---|