Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл
Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоя...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118160 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-118160 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1181602017-05-30T03:04:41Z Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл Соколенко, В.И. Фролов, В.А. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf е(x) – nf h = 0. При условии nf е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf h, в частности, температурных. Для оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние. Аналітично показано, що питомий електроопір ρ приконтактного шару діркового ВТНП, що граничить з металом Ме з електронною провідністю, є немонотонною функцією відстані від інтерфейсу. Максимальне значення ρ відповідає ρAF ВТНП в антиферомагнітному діелектричному стані на відстані x, де різниця концентрацій ферміївських «гостьових» електронів і «аборигенних» дірок nf е(x) – nf h = 0. За умови nf е = соnst величина контактного опору rc інтерфейсу ВТНП/Ме може бути індикатором змін nf h, зокрема, температурних. Для оптимально і слабодопованих двофазних вісмутових керамік BiSrPbCaCuO виміряно температурні залежності rc(Т) інтерфейсів ВТНП/Pb та ВТНП/In. Їх особливості відповідають концепції локальних пар, які існують в псевдощілинній фазі до температури розпарування, уявленню про флуктуаційну надпровідність, а також переходу в надпровідний стан. It is analytically shown that the specific resistivity ρ of a hole-type HTSC a contact layer abutting upon an electron-type conductivity metal Ме is a nonmonotonic function of distance from interface. A maximum value of ρ corresponds to ρAF of HTSC in the antiferromagnetic dielectric state at a distance x, where the difference in densities of Fermi guest electrons and native holes is e ( ) h 0. n f x − n f = For (0) соnst ef n = the value of rc can be an indicator of changes of hf n , in particular, temperature. The temperature dependences rc(Т) of HTSC/Pb and HТSС/In interfaces in optimally and slightly doped diphasiс Bi ceramics BiSrPbCaCuO are measured. Their features correspond: concept of local pairs, existing in a pseudogap phase till the temperature of depairing, the idea of fluctuation superconductivity and the transition to a superconducting state. 2013 Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. PACS: 74.72.–h, 74.25.F–, 73.40.Сg http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118160 ru Физика низких температур |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| spellingShingle |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Соколенко, В.И. Фролов, В.А. Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл Физика низких температур |
| description |
Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного
ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией
расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном
диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf
е(x) – nf
h = 0. При условии nf
е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf
h, в частности, температурных. Для
оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции
локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о
флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние. |
| author |
Соколенко, В.И. Фролов, В.А. |
| author_facet |
Соколенко, В.И. Фролов, В.А. |
| author_sort |
Соколенко, В.И. |
| title |
Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_short |
Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_full |
Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_fullStr |
Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_full_unstemmed |
Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_sort |
электросопротивление интерфейса втсп–нормальный металл |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118160 |
| citation_txt |
Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT sokolenkovi élektrosoprotivlenieinterfejsavtspnormalʹnyjmetall AT frolovva élektrosoprotivlenieinterfejsavtspnormalʹnyjmetall |
| first_indexed |
2023-10-18T20:31:29Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:31:29Z |
| _version_ |
1796150426506100736 |