Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures
In this work the experimental observation of passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in Al/Si/nematic/Indium Tin Oxide(ITO) structure performed on the base of low resistive (~ several Ωxcm) n-type conductivity silicon sample is presented. It is shown that when the DC voltage with...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118165 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures / M.I. Gritsenko, S.I. Kucheev, P.M. Lytvyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 154-156. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |