Model of heterotransistor with quantum dots

Heterostructure transistors with quantum dots (QD) are now very perspective devices because of their higher velocities of electrons in the channel. Simulation results for concentration and carrier velocity distributions depending on the QD size, concentration and location were presented in this p...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Timofeyev, V.I., Faleyeva, E.M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118231
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Model of heterotransistor with quantum dots/ V.I. Timofeyev, E.M. Faleyeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 186-188. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine