Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach

In this work, we have used the pseudo-alloy atom model and higher-order perturbation theory based on pseudopotential approach to investigate phase diagram at different temperatures for Si₁–xGex solid solution system where x is the arbitrary (atomic) concentration of the second constituting elemen...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Jivani, A.R., Jani, A.R.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118268
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach / A.R. Jivani, A.R. Jani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 17-20. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine