Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
Narrow-gap mercury cadmium telluride thin films grown by MBE and LPE methods onto various substrates (HgCdTe/Si, HgCdTe/GaAs, HgCdTe/CdZnTe) were investigated as a piezoelectric heterostructure for IR detection. The photoresponse, infrared transmittance spectra, parameters of the charge carrie...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118277 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector / F.F. Sizov, A.B. Smirnov, R.K. Savkina, V.A. Deriglazov, M.V. Yakushev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |