Photoelectrical properties of nanoporous silicon
The optimal composition of etchant solution and etching time for chemical treatment to obtain nanoporous Si have been determined. Influence of nanocrystal dimensions on the electrophysical and photoelectrical properties of heterojunctions has been studied. The current-voltage characteristics of n...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | Luchenko, A.I., Svezhentsova, K.V., Melnichenko, M.M. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118327 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Photoelectrical properties of nanoporous silicon / A.I. Luchenko, K.V. Svezhentsova, M.M. Melnichenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 298-301. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012) -
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2003) -
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)