Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells

• Дата: 2014
• Автори: Korkishko, R.M., Kostylyov, V.P., Prima, N.A., Sachenko, A.V., Serba, O.A., Slusar, T.V., Chernenko, V.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118353
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells / R.M. Korkishko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima, A.V. Sachenko, O.A. Serba, T.V. Slusar, V.V. Chernenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 14-20. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Investigated in this paper are theoretical and experimental spectral dependences of the short-circuit current as well as small-signal photo-e.m.f. in silicon solar cells. The authors have considered two constructions of solar cells. The first construction is a solar cell with contacts on the fron...