Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nanofilm of layered semiconductor
Represented in this paper is the method and results of theoretical investigations aimed at the influence of spatial confinement effects, self-polarization of heterojunction planes as well as exciton-phonon interaction on the position and shape of the band corresponding to exciton absorption in na...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118372 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nanofilm of layered semiconductor / A.V. Derevyanchuk, O.V. Pugantseva, V.M. Kramar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 188-192. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!