Харвестер відкритої науки НАН України

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури...

за авторством Kondryuk, D. V., Kramar, V. M.
Опубліковано 2019

Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms

за авторством Kramar, V.M., Pugantseva, O.V., Derevyanchuk, A.V.
Опубліковано в: Физика низких температур (2014)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms

за авторством Kondryuk, D.V., Kramar, V.M., Kroitor, O.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nanofilm of layered semiconductor

за авторством Derevyanchuk, A.V., Pugantseva, O.V., Kramar, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs

за авторством Kondryuk, D.V., Derevyanchuk, A.V., Kramar, V.M., Kudryavtsev, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms

за авторством Pugantseva, O.V., Kramar, V.M., Fesiv, I.V., Kudryavtsev, O.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs

за авторством Kondryuk, D.V., Derevyanchuk, A.V., Kramar, V.M., Kudryavtsev, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)