Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
The experimental data on Raman scattering (RS) and optical absorption in structures with thin silicon layers on various substrates, as well as in multilayer quartz/Si/SiO₂, SiC/Si/SiO₂ and glass/Si₃N₄/Si/SiO₂ structures, are summarized. It is shown that laser annealing on the above structures lea...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118373 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing / O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 200-204. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |