Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
We studied the relaxation processes of photoconductivity in Si(Li) p-i-n structures. It has been shown that a clearly pronounced “well” is observed in time dependences of the photovoltage pulse after photoexcitation of these structures. Our experimental data are indicative of abnormal relaxation...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118398 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures / R.A. Mumimov, Sh.K. Kanyazov, A.K. Saymbetov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 259-261. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |