Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
Interband optical transitions in the epitaxial Si/Ge heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100) surface were investigated using photocurrent spectroscopy. The mechanism of photoconductivity was discussed. It was shown that electron transitions from the ground state of the valence band...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118412 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface / Ye.Ye. Melnichuk, Yu.V. Hyrka, S.V. Kondratenko, Yu.N. Kozyrev, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 331-335. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |