Nanoscale tin dioxide films and zinc oxide hierarchical nanostructures for gas sensing applications
Nanoscale tin dioxide (SnO₂) and zinc oxide (ZnO) layers are considered as promising candidates for preparation of sensing elements for metal oxide semiconductor gas sensors. Tin dioxide films deposited by direct current magnetron sputtering are investigated. The influence of deposition temperatu...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118415 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Nanoscale tin dioxide films and zinc oxide hierarchical nanostructures for gas sensing applications / N.P. Klochko, K.S. Klepikova, G.S. Khrypunov, O.V. Pirohov, V.A. Novikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 358-367. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |