Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications

• Дата: 2011
• Автори: Godlewski, M., Guziewicz, E., Kopalko, K., Łuka, G., Łukasiewicz, M.I., Krajewski, T., Witkowski, B.S., Gierałtowska, S.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118518
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications / M. Godlewski, E. Guziewicz, K. Kopalko, G. Łuka, M.I. Łukasiewicz, T. Krajewski, B.S. Witkowski, S. Gierałtowska // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 301–307. — Бібліогр.: 44 назв. — англ.

We demonstrate that the atomic layer deposition (ALD) technique has large potential to be widely used in a production of ZnO films for applications in electronic, photovoltaic (PV) and optoelectronic devices. Low growth temperature makes the ALD-grown ZnO films suitable for construction of various s...