Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
. Nanostructured silicon layers (3–60 nm) have been formed upon substrates of monocrystalline silicon with a very large area (100 cm2 ), multicrystalline and metallurgical silicon by stain etching. We studied optical and structural properties of nanostructured silicon using scanning tunnel micro...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118726 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon / A.I. Luchenko, M.M. Melnichenko, K.V. Svezhentsova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 333-337. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |