The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
We report new experimental results on how superconductivity in gallium-doped germanium (Ge:Ga) is influenced by hole concentration and microstructure. Ion implantation and subsequent flash-lamp annealing at various temperatures have been utilized to prepare highly p-doped thin films consisting of na...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118783 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium / R. Skrotzki, T. Herrmannsdörfer, V. Heera, J. Fiedler, A. Mücklich, M. Helm, J. Wosnitza // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 1098–1106. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. |