Stacking Faults in the single crystals

The single crystals of InxMoSe₂ (0 ≤ x ≤ 1) and Re-doped MoSe₂ viz. MoRe₀.₀₅Se₁.₉₉₅, MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ and Mo₀.₉₉₅Re₀.₀₀₅Se₂ have been grown by a direct vapour transport technique (DVT) in the laboratory. Structural characterization of these crystals was made using the XRD method. The particle siz...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Mihir M. Vora, Aditya M. Vora
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118848
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Stacking Faults in the single crystals / Mihir M. Vora, Aditya M. Vora // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 421-423. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine