Stacking Faults in the single crystals
The single crystals of InxMoSe₂ (0 ≤ x ≤ 1) and Re-doped MoSe₂ viz. MoRe₀.₀₅Se₁.₉₉₅, MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ and Mo₀.₉₉₅Re₀.₀₀₅Se₂ have been grown by a direct vapour transport technique (DVT) in the laboratory. Structural characterization of these crystals was made using the XRD method. The particle siz...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118848 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Stacking Faults in the single crystals / Mihir M. Vora, Aditya M. Vora // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 421-423. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |