Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers

The results of investigation of the As₄₀-xSbxS₆₀ (x = 0-10) thin films transmission spectra depending on exposure and heat treatment conditions are given. It was established that illumination and annealing of films leads to the absorption edge shift into the longwave spectral region. The values o...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Rubish, V.M., Gera, E.B., Pop, M.M., Maryan, V.M., Kostyukevych, S.O., Moskalenko, N.L., Semak, D.G., Kostyukevych, K.V., Kryuchin, A.A., Petrov, V.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118869
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers / V.M. Rubish, E.B. Gera, M.M. Pop, V.M. Maryan, S.O. Kostyukevych, N.L. Moskalenko, D.G. Semak, K.V. Kostyukevych, A.A. Kryuchin, V.V. Petrov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 251-254. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine