A neural computation to study the scaling capability of the undoped DG MOSFET
The DG MOSFET is one of the most promising candidates for further CMOS scaling beyond the year of 2010. It will be scaled down to various degrees upon a wide range of system/circuit requirements (such as high-performance, low standby power and low operating power). The key electrical parameter of...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118884 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | A neural computation to study the scaling capability of the undoped DG MOSFET / F. Djeffal, S. Guessasma, A. Benhaya, T. Bendib // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 2. — С. 196-202. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |