Electronic transport properties of compounds with temperature unstable intermediate valence of Ce
Results of a thermoelectric power component (Sf) and electrical resistivity (ρf) measurements connected with the temperature unstable intermediate valence of Ce are presented for CeNi, CeNi₂ and CeNi₂Si₂ compounds in the temperature range 4–800 K. It is shown that dependences Sf (T) and ρf (T) are...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2004
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119008 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electronic transport properties of compounds with temperature unstable intermediate valence of Ce / M.D. Koterlyn, R.I. Yasnitskii, B.S. Morokhivskii // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 265–274. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |