Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
A study for the effects of size quantization and strain effects on the valence band spectra, the interband matrix elements, and the light gain spectrum in zinc-blende GaN quantum wells is presented. In the framework of the effective mass theory, the Schrödinger equation is solved for the valence...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119073 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells / L.O. Lokot // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 364-369. — Бібліогр.: 36 назв. — англ. |