Structural investigations of annealed ZnS:Cu, Ga film phosphors

X-ray and atomic force microscopy techniques were used for investigations of crystalline structure and nano-morphology of ZnS:Cu thin films. The films were deposited by electron beam evaporation on substrates of various types (glass, BaTiO₃, silicon). New non-vacuum method of annealing was applied f...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Lytvyn, O.S., Khomchenko, V.S., Kryshtab, T.G., Lytvyn, P.M., Mazin, M.O., Prokopenko, I.V., Rodionov, V.Ye., Tzyrkunov, Yu.A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119243
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Structural investigations of annealed ZnS:Cu, Ga film phosphors / O.S. Lytvyn, V.S. Khomchenko, T.G. Kryshtab, P.M. Lytvyn, M.O. Mazin, I.V. Prokopenko, V.Ye. Rodionov, Yu.A. Tzyrkunov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 19-23. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine