Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
Measurements of the photomagnetic effect spectra of PS/c-Si were carried out. Obtained results were explained by influence of the spatial charge region of the heterojunction between wide-band porous silicon and c-Si substrate of the n-type. The form of the PME spectrum in the long-wave region indica...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119265 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, B.K. Serdega // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 159-162. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |