Deagglomeration of aerosil in polishing suspension for chemical-mechanical polishing of sapphire
Studied is the influence of pH, surface-active substances and ultrasonic dispersing on the degree of deagglomeration of aerosol in the polishing suspensions used for CMP of sapphire, the removal rate and the optical quality of the surface at polishing. Ultrasonic dispersing makes it possible to obta...
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автор: | Vovk, E.A. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2015
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119306 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Deagglomeration of aerosil in polishing suspension for chemical-mechanical polishing of sapphire / E.A.Vovk // Functional Materials. — 2015. — Т. 22, № 1. — С. 110-115. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Chemical-mechanical polishing of sapphire by polishing suspension based on aerosil
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015) -
Anisotropy of sapphire properties associated with chemical-mechanical polishing with silica
за авторством: Budnikov, A.T., та інші
Опубліковано: (2010) -
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016) -
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)