Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
The processes of gettering the recombination-active impurities in multicrystalline silicon were investigated using methods of mass spectrometry of neutral atoms with the depth profile analysis and spectroscopy of a surface photovoltage (permitting to determine the diffusion length of non-equilibrium...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119322 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon / A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, A.S. Oberemok, V.G. Popov, Yu. V. Rassamakin, B.N. Romanyuk, S.G. Volkov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 278-282. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |