Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates
A Kossel chamber for reflected-beam X-ray studying of single crystal surfaces has been developed on the basis of a BS-340 scanning electron microscope. We have examined the structure of a disturbed layer of silicon plates after chemico-mechanical polishing. The intensity of X-ray reflection from the...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119563 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates / V.N. Tkach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 36-38. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |