Interface roughness induced intrasubband scattering in a quantum well under an electric field

Scattering rates in the lowest subband in a quantum well are calculated for interface roughness scattering when an electric field is applied normally to the layer plane. It is found that the interface roughness scattering rate increases with increasing electric field. The electric field changes the...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автор: Ibragimov, G.B.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119564
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Interface roughness induced intrasubband scattering in a quantum well under an electric field / G.B. Ibragimov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 39-41. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine